|
|
|
|
|
|
|
|
|
Легирование
Англо-русский глоссарий по металлургии |
(нем . legieren - сплавлять, от лат. ligo - связываю, соединяю), 1) введение в состав металлических сплавов т. н. легирующих элементов (напр., в сталь - cr, ni, mo, w, v, nb, ti и др.) для придания сплавам определенных физических, химических или механических свойств. 2) введение примесных атомов в твердое тело (напр., в полупроводники для создания требуемой электрической проводимости). легирование диэлектриков обычно называют активированием.
|
Alloying, английский
Doping, английский
- Controlled addition of small quantities of an impurity to a pure substance in order to change its characteristics, e.g., increase the refractive index of the fiber core
- Допинг
- The addition of dopants to a semiconductor.
- In electronics, the addition of impurities to a semiconductor to achieve a desired characteristic, often altering its conductivity dramatically. also known as semiconductor doping.
|
Полупроводники, русский
- Вещества, обладающие электронной и дырочной проводимостью и по значению удельного электросопротивления занимающие промежуточное положение между проводниками (металлами) и изоляторами (диэлектриками). электрические свойства полупроводников очень чувствительны к внешним воздействиям (нагреванию, облучению, освещению и др.).
- , вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 - 104 ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 - 10-12 ом-1 см-1). характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см. полупроводниковые приборы). к полупроводникам относится большая группа веществ (si, ge и др., см. полупроводниковые материалы). носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). в идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. в реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается в квантовой теории твердого тела (см. также зонная теория).
Проводимости, русский
Полупроводник, русский
Твердый кристаллический материал, удельное электрическое сопротивление которого является промежуточным по величине между таковым у металла и у изолятора и составляет от 2·103 ом до 2·108 ом, обычно сильно зависит от температуры.
Диэлектрик, русский
Вещество, основным электрическим свойством которого является способность поляризоваться в электрическом поле и в котором возможно длительное существование электростатического
|
Глинозем, русский
, то же, что алюминия оксид.
Alloying, английский
|
|
|
|
|
|
|