|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вырожденный полупроводник
| Глоссарий по полупроводникам |
|
Entarteter halbleiter. degenerierter halbleiter, немецкий
Degenerated semiconductor, английский
Semi-conducteur degenere, французский
|
Вырожденность генетического кода, русский
Свойство генетического кода, заключающееся в том, что одной аминокислоте
Вырожденный, русский
Вырожденный газ, русский
, квантовый газ при температуре ниже вырождения температуры тв. в идеальном вырожденном газе бозонов происходит бозе - эйнштейна конденсация. вырождение наступает, когда длина волны де бройля, соответствующая энергии теплового движения частиц, становится сравнимой со средним расстоянием между ними. в обычных атомных или молекулярных газах вырождения не происходит. для электронов в металлах тв 10 000 к, поэтому электронный газ в металлах - всегда вырожденный газ.
Вырожденный тип; тип null, русский
Полупроводник, русский
Твердый кристаллический материал, удельное электрическое сопротивление которого является промежуточным по величине между таковым у металла и у изолятора и составляет от 2·103 ом до 2·108 ом, обычно сильно зависит от температуры.
Полупроводники, русский
- Вещества, обладающие электронной и дырочной проводимостью и по значению удельного электросопротивления занимающие промежуточное положение между проводниками (металлами) и изоляторами (диэлектриками). электрические свойства полупроводников очень чувствительны к внешним воздействиям (нагреванию, облучению, освещению и др.).
- , вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 - 104 ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 - 10-12 ом-1 см-1). характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см. полупроводниковые приборы). к полупроводникам относится большая группа веществ (si, ge и др., см. полупроводниковые материалы). носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). в идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. в реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается в квантовой теории твердого тела (см. также зонная теория).
Полупроводниковая, русский
Полупроводниковая электроника, русский
, отрасль электроники, охватывающая вопросы исследования электронных процессов в полупроводниках и их практического использования, главным образом для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний.
Полупроводниковое (твердотельное) реле, русский
Полупроводниковое реле, русский
Реле, действие которого основано на использовании нелинейной зависимости между током и напряжением в
Полупроводниковое управляющее устройство, русский
Полупроводниковое управляющее устройство (для подачи управляющих сигналов при различных операциях сварки)
Полупроводниковые материалы, русский
, полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (напр., легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых элементов iii и v, ii и vi групп периодической системы). все большее значение приобретают твердые аморфные полупроводниковые вещества и органические полупроводники.
Полупроводниковые приборы, русский
, электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из si, ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).
Полупроводниковый, русский
Полупроводниковый детектор, русский
, полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. представляет собой p-n-переход на основе кристаллов si или ge. величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность сигнала с полупроводникового детектора. применяются как спектрометры ?-квантов и тяжелых заряженных частиц.
Полупроводниковый диод, русский
, полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. к полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл - полупроводник и др. наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды. служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. один из основных современных электронных приборов.
Полупроводниковый лазер, русский
, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.
Полупроводниковый лазер на двойном гетеропереходе, русский
Полупроводниковый оптический квантовый генератор на двойном гетеропереходе, русский
Полупроводниковый переключатель, русский
|
Entarteter halbleiter. degenerierter halbleiter, немецкий
Gleichrichter kontakt, немецкий
|
|
|
|
|
|
|
