|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сложный полупроводник
| Глоссарий по полупроводникам |
|
Verbindungshalbleiter. zusammengesetzter halbleiter, немецкий
Compound semiconductor, английский
Semi-conducteur compose, французский
|
Полупроводник, русский
Твердый кристаллический материал, удельное электрическое сопротивление которого является промежуточным по величине между таковым у металла и у изолятора и составляет от 2·103 ом до 2·108 ом, обычно сильно зависит от температуры.
Полупроводники, русский
- Вещества, обладающие электронной и дырочной проводимостью и по значению удельного электросопротивления занимающие промежуточное положение между проводниками (металлами) и изоляторами (диэлектриками). электрические свойства полупроводников очень чувствительны к внешним воздействиям (нагреванию, облучению, освещению и др.).
- , вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106 - 104 ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8 - 10-12 ом-1 см-1). характерная особенность полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют и другие внешние воздействия: свет, сильное электрическое поле, потоки быстрых частиц и т. д. высокая чувствительность электрических и оптических свойств к внешним воздействиям и содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна для полупроводников. все эти особенности и определяют их широкое применение в технике (см. полупроводниковые приборы). к полупроводникам относится большая группа веществ (si, ge и др., см. полупроводниковые материалы). носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки (носители положительного заряда). в идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что концентрации обоих типов носителей равны. в реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется практически только одним типом носителей. полное описание природы носителей заряда в полупроводниках и законов их движения дается в квантовой теории твердого тела (см. также зонная теория).
Полупроводниковая, русский
Полупроводниковая электроника, русский
, отрасль электроники, охватывающая вопросы исследования электронных процессов в полупроводниках и их практического использования, главным образом для генерирования, усиления и преобразования электрических колебаний.
Полупроводниковое (твердотельное) реле, русский
Полупроводниковое реле, русский
Реле, действие которого основано на использовании нелинейной зависимости между током и напряжением в
Полупроводниковое управляющее устройство, русский
Полупроводниковое управляющее устройство (для подачи управляющих сигналов при различных операциях сварки)
Полупроводниковые материалы, русский
, полупроводники, применяемые для изготовления электронных приборов и устройств. используют главным образом кристаллические полупроводниковые материалы (напр., легированные монокристаллы кремния или германия, химические соединения некоторых элементов iii и v, ii и vi групп периодической системы). все большее значение приобретают твердые аморфные полупроводниковые вещества и органические полупроводники.
Полупроводниковые приборы, русский
, электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов одного вида в другой (оптрон, фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и др.), одних видов энергии в другие (термоэлемент, термоэлектрический генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрической и механической величины и др. особый класс полупроводниковых приборов - полупроводниковые интегральные схемы, представляющие собой законченные электронные устройства в виде единого блока (пластинки) из si, ge и др., на котором методами полупроводниковой технологии (преимущественно планарной) образованы зоны, выполняющие функции активных и пассивных элементов (диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и т. д.).
Полупроводниковый, русский
Полупроводниковый детектор, русский
, полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. представляет собой p-n-переход на основе кристаллов si или ge. величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность сигнала с полупроводникового детектора. применяются как спектрометры ?-квантов и тяжелых заряженных частиц.
Полупроводниковый диод, русский
, полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. к полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл - полупроводник и др. наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды. служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. один из основных современных электронных приборов.
Полупроводниковый лазер, русский
, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.
Полупроводниковый лазер на двойном гетеропереходе, русский
Полупроводниковый оптический квантовый генератор на двойном гетеропереходе, русский
Полупроводниковый переключатель, русский
Полупроводниковый счетчик элементарных частиц, русский
Полупроводниковый тензометр, русский
Полупроводниковый термоэлемент, русский
Полупроводниковый тетрод, русский
Полупроводниковый триод, русский
|
Verbindungshalbleiter. zusammengesetzter halbleiter, немецкий
Kompensierter halbleiter, немецкий
|
|
|
|
|
|
|
