Новости переводов

11 марта, 2023

Vorbereitung zur Veröffentlichung: Preprint eines wissenschaftlichen Artikels

07 февраля, 2023

Vorbereitung zur Veröffentlichung eines wissenschaftlichen Artikels: redaktionelle Verfahren und Peer-Review

24 января, 2023

Vorbereitung zur Veröffentlichung eines wissenschaftlichen Artikels: Sex und Gender in der Forschung

11 января, 2023

Vorbereitung der Veröffentlichung für westliche Zeitschriften: Registrierung klinischer Studien

01 сентября, 2020

Dienstleistungen von professionellen Editoren

20 января, 2020

Glückwünsche zu den Feiertage

13 октября, 2019

Vorauskorrektur und Nachsicht eines Textes nach der Schriftsetzung

Глоссарии и словари бюро переводов Фларус

Поиск в глоссариях:

Глоссарий по полупроводникам

активная часть базовой области	aktivteil der basiszone; active part of base region; part active de region de base;
aktivteil der basiszone	активная часть базовой области;
акцепторная примесь	fkzeptor verunreinigung; acceptor impurity (in a semiconductor); impurete accepteur;
fkzeptor verunreinigung	акцепторная примесь;
восстановление обратного сопротивления перехода	recovering of the backward resistance in a junction;
выпрямляющий контакт	gleichrichter kontakt; rectifying contact; contact rectifiant;
gleichrichter kontakt	выпрямляющий контакт;
вырожденный полупроводник	entarteter halbleiter. degenerierter halbleiter; degenerated semiconductor; semi-conducteur degenere;
entarteter halbleiter. degenerierter halbleiter	вырожденный полупроводник;
дефект решетки	kristallstrukturdefekt. kristallgitterdefekt. kristallgitterstorung; crystal lattice defect; defaut du reseau cristallin;
kristallstrukturdefekt. kristallgitterdefekt. kristallgitterstorung	дефект решетки;
диффузионный переход	eindiffundierter p-n ubergang; diffused junction; jonction diffusee;
eindiffundierter p-n ubergang	диффузионный переход;
донорная примесь	donator-verunreinigung; donor impurity (in a semiconductor); impurete donneur;
donator-verunreinigung	донорная примесь;
дрейфовый транзистор	drifttransistor; drift transistor; transistor drift;
drifttransistor	дрейфовый транзистор;
дырочная электропровод ность	locherleitfahigkeit. defektelektronenleitfahigkeit; hole conduction; conduction par lacunes. conduction par lacunes trous;
locherleitfahigkeit. defektelektronenleitfahigkeit	дырочная электропровод ность;
заполненная зона	vollbesetztes energieband; filled band; bande (zone) remplie;
vollbesetztes energieband	заполненная зона;
sperrelektrode	затвор;
зона проводимости	leitungsband; conduction band; bande (zone) de conduction;
leitungsband	зона проводимости;
инверсный слой	inversionsschicht; inversion layer; couche d’inversion;
inversionsschicht	инверсный слой;
инжекция носителей заряда	tragerinjektion; carrier injection (in а semiconductor); injection des porteurs;
tragerinjektion	инжекция носителей заряда;
коллекторный переход	kollektorubergang; collector junction (of a semiconductor device); jonction de collecteur. jonction collectrice;
kollektorubergang	коллекторный переход;
коллекторный электрод	kollektorelektrode. kollektoranschluss; collector contact. collector electrode; contact de collecteur. electrode collectrice;
kollektorelektrode. kollektoranschluss	коллекторный электрод;
лавинное размножение носителей заряда	lawinenartige ladungstragerverfielfachung; avalanche multiplication of charge carriers (in a semiconductor); multiplication avalanche des porteurs de charge;
lawinenartige ladungstragerverfielfachung	лавинное размножение носителей заряда;
лавинный транзистор	lawinetransistor; avalanche transistor; transistor avalanche;
lawinetransistor	лавинный транзистор;
магнитноэлектрический полупроводниковый прибор	magnetoelektrisches halbleitergerat. magnetoelektrischer wandler; magnetoelectric semiconductor device. magnetoelectric transducer; dispositif magnetoelectrique semi-conducteur. transducteur magnetoelectrique;
magnetoelektrisches halbleitergerat. magnetoelektrischer wandler	магнитноэлектрический полупроводниковый прибор;
мезаструктура	mesastruktur; mesa-structure; structure-mesa;
mesastruktur	мезаструктура;
модуляция толщины базы	basisdicke-modulation; base thickness modulation; modulation d’epaisseur de base;
basisdicke-modulation	модуляция толщины базы;
невыпрямляющий контакт	sperrfreier kontakt. ohmischer kontakt; non-rectifying. ohmic contact; contact non redresseur. contact ohmique;
sperrfreier kontakt. ohmischer kontakt	невыпрямляющий контакт;
невырожденный полупроводник	unentarteter halbleiter. nichtdegenerierter halbleiter; semi-conducteur nondegenere;
unentarteter halbleiter. nichtdegenerierter halbleiter	невырожденный полупроводник;
обедненный слой	erschopfte schicht; depletion layer; couche epuisee;
erschopfte schicht	обедненный слой;
обогащенный слой	verreicherte schicht; accumulation layer. enriched layer; couche d’accumulation. couche enrichie;
verreicherte schicht	обогащенный слой;
оплавной переход	rekristallisations p-n ubergang; recrystallized junction; jonction p-n recristallisee;
rekristallisations p-n ubergang	оплавной переход;
освобождение носителя заряда	tragerbefreiung; release of carriers (in a semiconductor); liberation du porteur de charge;
tragerbefreiung	освобождение носителя заряда;
пассивная часть базовой области	passivteil der basiszone; passive part of base region; part passive de region de base;
passivteil der basiszone	пассивная часть базовой области;
плавный переход	kontinuierlicher ubergang; graded junction; jonction continuelle;
kontinuierlicher ubergang	плавный переход;
плоскостной переход	flachenubergang; p-n junction; jonction p-n;
flachenubergang	плоскостной переход;
плоскостной транзистор	flachentransistor ep-n junction transistor; transistor a jonctions;
flachentransistor ep-n junction transistor	плоскостной транзистор;
поверхностная зона	Свойства ее вод формируются в процессе непосредственного обмена энергией и веществом между океаном и атмосферой. в среднем это 200-метровая зона. средняя толщина однородного (перемешанного) слоя о... oberflachenenergieband (- zone); surface band; bande (zone) de surface; стратификация океана;
oberflachenenergieband (- zone)	поверхностная зона;
поверхностно-барьерный переход	randschichtubergang. oberflachensperrschichtubergan g; surface barrier juncton; jonction a barrier de surface;
randschichtubergang. oberflachensperrschichtubergan g	поверхностно-барьерный переход;
поверхностно-барьерный транзистор	randschichttransistor. oberflachensperrschichttrans is to r; surface barrier transistor; transistor a barriere de surface;
randschichttransistor. oberflachensperrschichttrans is to r	поверхностно-барьерный транзистор;
поверхностный уровень	oberflachenniveau; surface level; niveau superficiel;
oberflachenniveau	поверхностный уровень;
halbleiter	полупроводник;
полупроводниковый счетчик элементарных частиц	halbleiter-teilchenzahler; semiconductor particles counter;
halbleiter-teilchenzahler	полупроводниковый счетчик элементарных частиц;
полупроводниковый тензометр	halbleiter-tensometer; semiconductor strain gauge;
halbleiter-tensometer	полупроводниковый тензометр;
полупроводниковый термоэлемент	halbleiterthermoelement; semiconductor thermoelement. thermocouple;
halbleiterthermoelement	полупроводниковый термоэлемент;

Глоссарий по полупроводникам

Отказ от ответственности. Глоссарий по полупроводникам не охраняется авторским правом. Для создания глоссария редакторами бюро переводов были использованы материалы из открытых источников и опубликованы в образовательных целях. Если вы заметили неточность в терминологии, ошибки или факт неправомерного использования информации, свяжитесь с главным редактором бюро переводов по электронной почте.